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그라파이트 SiC 코팅 전문기업

  • Properties of SiC SiC의 특성
    • SiC(실리콘카바이드) 개요
      • - SiC는 LPCVD(Low Pressure CVD) 공정에 이용되는 기존의 실리콘이나 석영소재에 비해 열전도성과 내식성, 내화학성이 좋고 열팽창률이 낮아 장기간 사용 시에도 파손의 우려가 적은 화학물의 소재.
      • - 고순도 SiC 치구류는 1,200℃이상의 고온조건에서도 안정적이기 때문에 반도체 확산 공정 및 상압 CVD, LPCVD 공정에서 품질 및 효율향상 등에 크게 기여할 것으로 기대되고 있음.
    • SiC(실리콘카바이드) 재질적 특성
      • - 화학적 성질 : 탄화규소는 화학적으로 매우 안정한 화합물로 염산수소(HCI), 불산(HF), 수소(H2), 황산(H2SO4), 수산화나트륨(NaOH) 등의 용액에 침식되지 않음
      • - 전기적, 기계적 성질 : 순수한 탄화규소 단결정은 상온에서 절연체지만, 불순물의 종류나 양에 따라 성질이 크게 달라짐
      • - CVD SiC 코팅 제품 : SiC 표면에 CVD 코팅 시 표면의 막이 더욱 치밀질이 되어 불순물원소의 확산 방출을 막아주고, 대부분의 산성용액에 대해 내식성이 증가됨
    • SiC의 강도
      물질명 모스 경도
      다이아몬드 10
      B2C
      SiC 9
      TiC
      WC-TiC
      Al2O3
    • SiC 물성
      Thermal Conductivity(W/mK) 190 열전도
      Poissons Ratio 0.17 포아손비
      Bending Strength(MPa) >240 굽힘 강도
      Compressive Strength(MPa) 1600 압축 강도
      Purity(%) >99.9(CVD>6N) 순 도
      Bulk Density(g/cm*) >2.93 밀 도
      Youngs Modulus(GPa) 340 영 율
      Load0.5Kg HV1=9.807N Vickers Hardness(GPa) 22 비커스경도
      Thermal Expansion(x10-6/℃) 25~400℃:3.8
      25~800℃:4.6
      열팽창계수
      volume Resistivity(Ω . ㎝) 10-1 체적고유사항
      Specific Heat([PT]J/Kg.K) 0.7 비 열
  • POSSESS THCHNOLOGY PROCESS
    SiC코팅 Technology
    • - (보유기술 1 – CVIR공법) : (일반)그라파이트 내부에 균일한 두께의 SiC막을 함침하는 방식
    • - (보유기술 2 – CVD공법) : 카본그라파이트 위에 SiC막을 적층하는 방식
    • - (개발중인기술 – Hybrid공법) : CVIR공법으로 그라파이트 내외부에 SiC 함침 및 적층
  • 보유기술 장점
    • 원가경쟁력

      • - 모든 종류의 그라파이트에 SiC코팅이 가능
    • 우수한 생산성

      • - 코팅 후 후가공 필요없음
      • - 공정시간이 상대적으로 짧음
    • 적용품목의 다양성

      • - 그라파이트, 카본복합체, 소결SiC등 다양한 소재에 SiC코팅이 가능
      • - 복잡한 형태의 고정밀 부품에 적용 가능
  • 적용분야
    • LED용 웨이퍼캐리어

    • 고정밀 히터

    • 반도체용 파트류

    • 카본복합체

    • 반도체용 SiC Ring

  • PROCESS

    STEP 01

    Preparing Graphite (Japan Graphite)

    STEP 02

    Machining

    STEP 03

    High purification

    STEP 04

    SiC Coating

    STEP 05

    3D Measure

    STEP 06

    Packing