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SiC Coating Specialist

  • Properties of SiC
    • SiC(碳化硅) 概要
      • - SiC与用于LPCVD(Low Pressure CVD)工程的现有硅或石英材质相比，导热性和耐蚀性、耐化学性都很好，而且热膨胀率较低，因此在长时间使用时也不会有破损危险的化学物质材质。
      • - 由于SiC齿条在1200℃以上的高温条件下也能保持稳定，因此期待在半导体扩散工程及常压CVD、LPCVD工程上，对质量及提高效率等方面能做出巨大贡献。
    • SiC(碳化硅) 材质特性
      • - 化学性质: 碳化硅是化学上非常稳定的化合物，不被盐酸氢(HCI)、氢氟酸(HF)、氢(H2)、硫酸(H2SO4)、氢氧化钠(NaOH)等溶液浸蚀。
      • - 电、机械性能: 纯碳化硅单晶在常温下为绝缘体，但性质随不纯物的种类及数量而有很大变化
      • - CVD SiC镀膜产品: 在SiC表面上进行CVD镀膜时，表面的膜变得更加致密，可以防止不纯物元素的扩散释放，并且可以提高大部分酸性溶液的耐蚀性。
    • SiC 物性
      Thermal Conductivity(W/mK) 190 导热度
      Poissons Ratio 0.17 Poissons Ratio
      Bending Strength(MPa) >240 弯曲强度
      Compressive Strength(MPa) 1600 压缩强度
      Purity(%) >99.9(CVD>6N) 纯度
      Bulk Density(g/cm*) >2.93 密度
      Youngs Modulus(GPa) 340 Young率
      Load0.5Kg HV1=9.807N Vickers Hardness(GPa) 22 维氏硬度
      Thermal Expansion(x10-6/℃) 25~400℃:3.8
      25~800℃:4.6       		热膨胀系数
      volume Resistivity(Ω . ㎝) 10-1 体积固有事项
      Specific Heat([PT]J/Kg.K) 0.7 比热
  • POSSESS THCHNOLOGY PROCESS
    SiC镀膜 Technology
    • - (拥有技术 1 – CVIR工艺) : (一般)Graphite内部浸渍均匀厚度SiC膜的方式
    • - (拥有技术 2 – CVD工艺) : 石墨碳素上面叠层SiC膜的方式
    • - (拥有技术 3 – Hybrid工艺) : 用CVIR工艺在石墨内外部浸渍及积层
  • 拥有技术优势

    • 原价竞争力

      • - 可以在各种石墨上SiC镀膜

    • 优秀的生产性

      • - 镀膜后不需要后加工
      • - 工程实践相对短

    • 适用产品的多样性

      • - 可以在石墨、碳素复合体、烧结SiC等多种材料上进行SiC镀膜
      • - 适用于复杂形状的高精密部品
  • 适用领域

    • LED晶圆载体

    • 高精密加热器

    • 半导体部件

    • 碳素复合体

    • 半导体用SiC Ring

  • PROCESS

    STEP 01

    Preparing Graphite (Japan Graphite)

    STEP 02

    Machining

    STEP 03

    High purification

    STEP 04

    SiC Coating

    STEP 05

    3D Measure

    STEP 06

    Packing